SI3456CDV-T1-GE3
Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)
SI3456CDV-T1-GE3 datasheet
-
МаркировкаSI3456CDV-T1-GE3
-
ПроизводительSiliconix
-
ОписаниеVishay Intertechnology SI3456CDV-T1-GE3 Product Category: MOSFET RoHS: yes Transistor Polarity: N-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: 30 V Gate-Source Breakdown Voltage: +/- 20 V Continuous Drain Current: 6.1 A Resistance Drain-Source RDS (on): 0.034 Ohms Configuration: Single Maximum Operating Temperature: + 150 C Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: TSOP-6 Minimum Operating Temperature: - 55 C Power Dissipation: 2 W Factory Pack Quantity: 3000 Part # Aliases: SI3456CDV-GE3
-
Количество страниц11 шт.
-
Форматы файлаHTML, PDF
Где можно купить
Новости электроники
08.06.2024
07.06.2024
06.06.2024